分析師估計台積電 3nm 良率在 60% 至 80% 之間、遠勝三星

台積電之前於 12 月 29 日在台南科學園區舉辦 3nm 量產暨擴廠典禮，正式宣佈啟動 3nm 大規模生產。雖然三星幾個月前開啟了 N3（3nm）晶片製造，但台積電的良率明顯更好。

專門研究半導體的分析師和專家估計，目前台積電的 N3 良率可能低至 60% 至 70%，或者高至 75% 至 80%，這對第一批產品來說已經相當好。同時，金融分析師 Dan Nystedt 在推特上表示，台積電目前 N3 良率與 N5 良率在上升初期相似，其良率可能高達 80%。

相比之下，三星代工在早期階段的 3GAE 工藝良率在 10% 到 20% 不等，而且沒有改善。

由於台積電目前商業化生產 N3 設計數量有限（據推測幾乎不超過三塊 IC），而且良率相關資料是該代工廠及其客戶的商業機密，因此還無法對台積電的 N3 良率有多高或多低做出具體判斷。

此外，考慮到圍繞初始 N3 節點（又稱 N3B）的傳言，蘋果可能是唯一一家採用這項技術的公司，其他開發商預計將使用更穩定一些的 N3E 改進工藝。

台積電將採用產能有限 N3 節點工藝，然後在 2023 年晚些時候轉向更穩定、更高效的全面生產的 N3E，隨後在 2024 年轉向 N3P，這一年台積電還將在新竹工廠將其 2nm GAA 工藝投入試生產，並在 2025 年進行大規模生產。

台積電官網顯示，其 3nm 製程是 5nm 之後的另一個全世代製程，具備最佳 PPA 及電晶體技術。同 5nm 製程相比，3nm 製程的邏輯密度將增加約 70%，在相同功耗下速度提升 10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。