任天堂 Switch 2 遊戲卡可能改用三星第五代 V-NAND快閃記憶體技術，讀取速度達 1.4GB/s

任天堂 Switch 2 可能會使用三星第五代 V-NAND，從最近的一些研究結果來看，這將是相比其前代產品的一大進步。

據 Doctre81 在 YouTube 上分享的一段新影片中報導，一位在該公司任職至 2019 年的前三星電子裝置解決方案部門高級總監的 LinkedIn 頁面上列出了他的主要資歷和職責，其中包括領導開發了一款用於未指名任天堂遊戲主機遊戲卡的 NAND 快閃記憶體控制器裝置。

在主要成就中，這位前三星員工還列出了由三星第五代 V-NAND 快閃記憶體驅動的安全增強型 eMMC 卡的開發，這似乎不僅與用於未指名任天堂遊戲主機將採用的 NAND 快閃記憶體控制器裝置相吻合，而且還與其他一些資訊相吻合，如創新未指定專有硬體的安全性和設計新的 PUF IP（實體不可複製功能）。

任天堂 Switch 2 需要比上一代產品更快的讀取速度並不完全令人驚訝，但任天堂使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是個好消息，儘管以今天的標準來看，這已經是有些過時的技術了，因為三星正在開發第 9 代和第 10 代 V-NAND，後者計畫於 2025 年發佈。不過，第 5 代產品高達 1.4 GB/s 的速度對於任天堂的遊戲來說應該綽綽有餘，至少比前一代產品有了很大的提升。

關於 Nintendo Switch 2的細節人們所知甚少，只知道它將再次採用 NVIDIA 硬體。據說，T239 晶片將支援 NVIDIA DLSS 和光線重構等功能，這將使它成為市場上光線追蹤能力最強的遊戲系統。