三星將於2025年推出「SAINT」3D晶片封裝服務，為量產HBM4做準備

據韓媒《韓國經濟日報》報導，三星電子將於年內推出可將 HBM 記憶體與處理器晶片 3D 晶片封裝 SAINT-D 技術。

報導同時指出，在今年發佈後，三星有望於明年推出的 HBM4 記憶體中正式應用 SAINT（即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術。

SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術，旨在垂直內建邏輯晶圓和 DRAM 記憶體晶圓。報導稱該技術的具體實現方式是在處理器和 HBM 晶片間建立矽中介層。

▲ 三星電子 SAINT 先進封裝技術家族

三星電子近期在三星代工論壇 2024 北美場上表示，其 SAINT-D 技術目前正處於概念驗證階段。

▲ 三星 AI 解決方案，中即 SAINT-D 技術

韓國媒體表示，SAINT-D 技術有望改變 AI 半導體領域的遊戲規則：

HBM 記憶體與處理器之間目前採用 2.5D 封裝連接，兩者水平放置，之間存在一定距離。這不僅引入了更大傳輸延遲，同時還影響了電訊號品質、提升了資料移動功耗。而 SAINT-D 技術將處理器和 HBM 記憶體的間距降到更低，有利於 AI 加速器晶片進一步釋放性能潛力。

對於三星電子整體而言，由於可提供從先進節點代工、HBM 記憶體生產到整體封裝內建的全流程“交鑰匙”服務，SAINT-D 的應用也可帶動其目前處於劣勢的 HBM 和代工業務發展。

根據市場研究機構 MGI 的資料，SAINT-D 等先進封裝市場的規模將從 2023 年的 345 億美元成長至 800 億美元。