韓媒報導三星電子今年底啟動 HBM4 記憶體下線，為明年底量產做準備

韓媒 The Elec 報導，三星電子將於今年底啟動下代 HBM4 記憶體的下線（Tape-out），為明年底的 12 層堆疊 HBM4 產品量產做準備。

考慮到從下線到測試產品的推出還需要 3 到 4 個月的時間，三星電子的 HBM4 12H 樣品預計最早明年初亮相。三星電子此後將對樣品進行功能驗證並改進設計和工藝，改進後的樣品將向主要客戶出樣。

韓媒在報導中確認，三星電子將在 HBM4 記憶體上採用 1c nm 製程 DRAM 顆粒和 4nm 製程邏輯晶片，以提升產品能效表現，也方便在邏輯晶片中引入更豐富功能支援。

三星公司在今年七月才宣佈成立全新的“HBM開發團隊”，這一戰略舉措標誌著三星在高頻寬記憶體（HBM）技術領域的雄心與決心邁入了一個新階段。該團隊將專注於前沿技術的研發，特別是HBM3、HBM3E以及備受期待的下一代HBM4技術，旨在顯著提升三星在全球HBM市場的競爭力和市佔率。

回顧過往，三星自2015年起便在DRAM部門內部深耕HBM技術的藍海，不僅設立了專項團隊，還成立了特別工作組，持續推動技術創新與突破。此次組織架構的升級，無疑是對過往努力的深化與加強，彰顯了三星對HBM技術未來發展的堅定信心。

三星電子的這一決定也對其在 HBM 市場上的主要競爭對手 SK 海力士產生了影響：

SK 海力士 HBM 開發團隊的一位匿名人士稱，SK 海力士原計畫在 HBM4 中使用 1b nm 的 DRAM 顆粒，但在得知三星電子的 HBM4 方案後，SK 海力士內部正就其 HBM4 產品是否轉向 1c nm DRAM 進行討論。

而在 HBM4 記憶體的邏輯晶片部分，SK 海力士預計將使用台積電提供的 5nm 或 12nm 方案。