2 奈米戰火點燃！台積電、Intel、三星先進製程競逐白熱化

日前舉辦的 Vision 2025 大會上，Intel 正式宣布 18A 製程技術已進入風險生產階段。預計今年下半年首發該製程的 Panther Lake 處理器將進行大批量生產。此舉為「四年五個節點（5N4Y）」計畫立下關鍵里程碑。按照 Intel 的願景，18A 將是其反超台積電、重奪半導體製程世界第一的關鍵節點。

值得關注的是，此為新任華人 CEO 陳立武接棒後首度公開亮相，業界解讀 Intel 此舉在向台積電、三星等競爭對手展示技術肌肉。

Intel 18A 製程將在全球首次同時採用 PowerVia 背面供電和 RibbonFET 閘極環繞（GAA）電晶體技術，台積電則會在今年下半年 2 奈米使用 Nanosheet 電晶體技術、2026 年下半年導入超級電軌（Super Power Rail），2027 年進行 1.4 奈米風險性試產。

半導體從業者透露，若 Intel 18A 推進順利，將會比台積電 2 奈米更早導入晶背供電技術。隨著人工智慧、高效能運算等應用需求爆發，半導體先進製程的競賽也進入白熱化階段。

台積電：穩健領先，技術創新不停歇

台積電在先進製程上擁有明顯的領先優勢。其 2 奈米（N2）製程將採用 Nanosheet 奈米片技術的 GAAFET 架構，相較於 N3E，在相同功耗下速度提升 10% 至 15%，在相同速度下功耗降低 25% 至 30%，晶片密度提升 15% 以上。此外，台積電還將推出 NanoFlex 技術，透過靈活的元件寬度調節，最大化效能、功耗和面積，並預計在 2026 年下半年量產效能更佳的 N2P 製程。

Intel：積極追趕，力求技術突破

Intel 則以 18A 製程力圖反超。該製程將同時採用 PowerVia 背面供電和 RibbonFET 閘極環繞（GAA）電晶體技術。若 Intel 推進順利，將比台積電更早導入晶背供電技術。然而，Intel 在先進製程上仍面臨一些挑戰，新任 CEO 陳立武的接棒，展現其積極追趕的決心。

三星：技術先行，良率待提升

三星在 3 奈米製程上已導入 GAAFET 技術，是 GAA 的先行者。然而，良率問題一直是三星在先進製程上的挑戰。目前三星主要關注自家 Exynos 2600 晶片的生產進度，並預計 2027 年才在 SF2Z 製程上導入背面供電技術，推進速度相對較慢。

日本 Rapidus 不容小覷

除了三大巨頭，日本 Rapidus 也在積極佈局 2 奈米製程。其位於北海道千歲市的 2 奈米晶圓廠試產產線計畫將在本月啟用，瞄準 2027 年開始量產。