在上月的ITF大會上,半導體行業大腦imec(比利時微電子研究中心)公佈的藍圖顯示,2025年後電晶體進入埃米時代(Å,angstrom,1埃 = 0.1奈米),其中2025對應A14(14Å=1.4奈米),2027年為A10(10Å=1nm)、2029年為A7(7Å=0.7奈米)。
當時imec就表示,除了新電晶體結構、2D材料,還有很關鍵的一環就是High NA(高數值孔徑)EUV曝光機。其透露,0.55NA的下代EUV曝光機一號試做機會在2023年由ASML提供給imec,2026年量產。
不過,本月與媒體交流時,ASML似乎暗示這個進度要提前。第一台高NA EUV曝光機2023年開放早期訪問,2024年到2025年開放給客戶進行研發並從2025年開始量產。
據悉,相較於當前0.33NA的EUV曝光機,0.55NA有了革命性進步,它能允許蝕刻更高解析度的圖案。
分析師Alan Priestley稱,0.55NA曝光機一台的價格會高達3億美元,是當前0.33NA的兩倍。
早在今年7月,Intel就表態致力於成為高NA曝光機的首個客戶,Intel行銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法,並將高NA EUV曝光機視為一次重大技術突破。
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