台積電不用新一代EUV曝光機，可能要等到 2030年的1nm製程

Intel已於日前接收了ASML的第一台新一代High NA EUV曝光機，但是台積電一直不為所動，可能要到1nm時代才會跟進。Intel計畫將High NA EUV曝光機用於Intel 18A後的製程節點，也就是超過1.8nm，時間大概在2026-2027年。

Intel此前公佈的路線圖上，18A之後已經安排了三個新的製程節點，但尚未具體命名。

基辛格透露其中一個相當於1.5nm工藝，預計命名為15A，將在德國工廠量產。

至於台積電這邊，對於High NA EUV曝光機引入計畫則一直守口如瓶，有多個消息來源稱台積電還在觀望評估，目前計畫要等到1nm節點才會上馬，而時間要等到2030年左右了。

台積電目前正在衝刺2nm製程，預計2025-2027年間量產，單晶片可內建超過1000億個電晶體，單個封裝可超5000億個。

然後是1.4nm、1nm，其中後者計畫2030年左右量產，將在單顆晶片內內建超過2000億個電晶體，單個封裝內則超過1萬億個，相比N2工藝翻一倍。

有趣的是，Intel也計畫在2030年做到單個封裝1萬億個電晶體，可謂針鋒相對。

2023年第三季度，台積電3nm節點的營收佔比約為6%左右，到目前為止3nm月產能已逐步增加到10萬片，預計2024年對收入的貢獻比重將更高。3nm節點中，繼N3B之後，性能更好的N3E於2023年第四季度開始量產，此外N3P、N3X工藝也將滿足各類客戶的需求。

關於台積電2nm技術，預計將於2025年量產，客戶對其興趣濃厚，特別是在HPC高性能計算、智慧型手機這兩項應用領域。目前英特爾已經取得ASML首台High-NA EUV曝光機，每台價值約4億歐元。儘管台積電尚未公佈這類裝置的採購計畫，但最新曝光機是實現2nm製程工藝所必需的。