鎧俠公佈3D NAND快閃記憶體發展藍圖，計畫2027年實現1000層堆疊

鎧俠最近公佈了3D NAND快閃記憶體發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。

自2014年以來，3D NAND快閃記憶體的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基於這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。

在3D NAND快閃記憶體技術的競賽中，鎧俠展現出了對層數挑戰的堅定決心，其目標似乎比三星更為激進。三星雖也計畫在2030年之前推出超過1000層的先進NAND快閃記憶體晶片，並計畫引入新型鐵電材料來實現這一目標，但鎧俠卻更早地設定了具體的實現時間表。

去年，鎧俠推出了BiCS8 3D NAND快閃記憶體，其層數高達218層，採用1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC）技術，並通過創新的橫向收縮技術，成功將位密度提高了50%以上。

若要實現2027年1000層堆疊的宏偉目標，鎧俠可能會進一步探索五層單元（PLC）技術的應用。

值得注意的是，提高3D NAND晶片的密度並非僅僅意味著增加層數，更涉及到製造過程中可能遇到的一系列新問題和技術挑戰。