韓國晶片巨頭SK海力士公司表示，已開始批次生產業界首個基於「3-Plug」技術的321層1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體。
NAND快閃記憶體是一種非易失性儲存介質，廣泛用於儲存卡、USB驅動器、固態驅動器（SSDs）和智慧手機中，用於一般儲存和傳輸資料。它垂直堆疊儲存單元，分為單層、多層、三層和四層儲存單元。
SK海力士表示，這標誌著繼去年6月進入量產的238層NAND快閃記憶體獲得成功後，該公司成為世界上第一家300層以上的NAND快閃記憶體供應商。
SK 海力士表示採用高生產效率的「3-Plug」技術，克服過去的堆疊限制，透過分三次通孔製程以及經優化的後續工作得以將三個通孔進行電氣連接，並引進通孔間自動排列 (alignment) 矯正技術，技術團隊也將上一代 238 層 NAND Flash 的開發平臺應用於 321 層，最大限度地減少工藝變化，與上一代相比，生產效率提升 59%。
該公司表示，計畫從明年上半年開始向客戶交付321層的產品。
NAND Flash 晶片根據每單元 (Cell) 可儲存的資訊量，分為 SLC(Single level Cell，1 位)、MLC(Muti Level Cell，2 位)、TLC(Triple Level Cell，3 位)、QLC(Quadruple Level Cell，4 位)、PLC(Penta Level Cell，5 位) 等不同規格。單元資訊存儲容量越大，意味著單位面積可以儲存的數據越多。
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