Intel 18A已準備就緒，官方宣稱領先台積電一年？

英特爾近日透過官網正式上線了其最先進的Intel 18A製程技術介紹，並宣稱該技術已「準備就緒」。根據外界預估，Intel 18A預計於2025年中進入量產，將由酷睿Ultra 300系列「Panther Lake」處理器率先採用，預計今年下半年上市。

能效提升15%，密度提升30%

根據英特爾官網資料，相較於Intel 3製程節點，Intel 18A每瓦效能提升15%，晶片密度提高30%。英特爾稱其為北美製造中最先可用的2nm以下先進節點，能為客戶提供靈活的供應替代方案。

此外，根據已曝光的資料，Intel 18A的SRAM密度達到0.021 μm²的高密度SRAM位元單元尺寸（約31.8 Mb/mm²的SRAM密度），相較於Intel 4的0.024 μm²，進步顯著。

研究機構TechInsights測算顯示，Intel 18A的性能值為2.53，台積電N2為2.27，三星SF2為2.19。也就是說，在2nm級製程中，Intel 18A性能最高，台積電N2居次，三星SF2排名第三。

RibbonFET電晶體

Intel 18A採用RibbonFET環柵（GAA）電晶體技術，可精確控制電流。RibbonFET能進一步縮小晶片組件尺寸並減少漏電，這對日益密集的晶片來說至關重要。

RibbonFET提升每瓦效能、最小電壓（Vmin）操作與靜電性能，帶來顯著優勢，還透過不同帶寬與多種閾值電壓（Vt）類型提供高度可調性。HD MIM電容器則大幅降低電感功率下降，增強晶片穩定性。這對生成式AI等需要突發高強度運算的現代工作負載尤為關鍵。

英特爾去年底公布資訊顯示，其代工部門展示栅極長度僅6奈米的矽基RibbonFET CMOS電晶體，在縮短栅極長度與減少溝道厚度的同時，對短溝道效應的抑制與性能達到業界領先水準。英特爾表示，這為摩爾定律關鍵基礎——栅極長度持續縮短——鋪平道路。

PowerVia背面供電技術

隨著電晶體密度增加，混合訊號與電源佈線易造成擁塞，降低性能。英特爾代工部門首創的PowerVia技術將間距較大的金屬與凸塊移至晶片背面，並在每個標準單元嵌入奈米級矽通孔（nano-TSV），實現高效電源分配。

Intel 18A率先採用PowerVia背面供電技術，將密度與單元利用率提升5%至10%，降低電阻功率下降，使ISO功率效能提高最多4%，相較正面供電設計，固有電阻（IR）下降大幅減少。

相較之下，三星計劃於2026年量產的SF2P製程才會實施背面供電技術。台積電則可能要到2026或2027年的A16製程才導入背面供電，但預計其背面連接將更直接，提供比英特爾與三星更小的軌道高度。

最快2025年上半年量產

該製程全面支援業界標準EDA工具與參考流程，實現從其他技術節點的平穩轉換。透過EDA合作夥伴提供的參考流程，客戶可率先使用PowerVia進行設計。

英特爾表示，目前由超過35個行業領先生態系統夥伴組成強大團隊，涵蓋EDA、IP、設計服務、雲服務及航太國防領域，確保廣泛客戶支援並進一步簡化流程。

早在去年9月，英特爾於俄勒岡州波特蘭舉行的Enterprise Tech Tour活動中，首次展示基於Intel 18A製程的Xeon晶片「Clearwater Forest」。隨後10月，英特爾宣布已向聯想等合作夥伴交付基於Intel 18A的Panther Lake CPU樣品。

目前預計Intel 18A將於2025年中量產，最快可能上半年實現，並由酷睿Ultra 300系列「Panther Lake」處理器首發，該處理器預計今年下半年上市。

相較之下，台積電N2計畫於2025年底大規模量產，第一批產品最快2026年中上市，相關產品預計2026年秋季推出。這意味著Intel 18A整體進度將領先台積電N2近一年。

High NA EUV有望持續擴大優勢

在Intel 18A領先台積電N2近一年的同時，英特爾正利用ASML最新的High NA EUV曝光機積極擴大技術優勢，這是1nm級尖端製程所需的製造工具。

英特爾計畫在Intel 18A後的Intel 14A導入High NA EUV曝光機，相較Intel 18A，Intel 14A的電晶體密度將提升20%。目前英特爾在High NA EUV計畫上處於領先，已購置兩台價值3.5億美元的ASML Twinscan EXE 5000系列曝光機，並於去年完成安裝與運行，是唯一擁有豐富使用經驗的晶片製造商。

相較之下，台積電業務開發資深副總經理張曉強曾表示，雖對High NA EUV能力印象深刻，但設備價格過高。台積電現有EUV能力可支援晶片生產至2026年底，其A16製程將依賴標準EUV曝光機量產，並計畫用High NA EUV生產A10製程晶片。但有傳聞稱，台積電已開始計畫提前引入High NA EUV累積經驗。

英特爾矽光子集團首席計畫經理Joseph Bonetti曾於LinkedIn表示，相較競爭對手，英特爾在High NA EUV經驗上至少領先一年。