High-NA EUV 終有過時的一天，ASML公佈下一代Hyper-NA極紫外曝光技術發展路線圖

作為製造最先進晶片所必需的極紫外（EUV）曝光系統的全球唯一供應商，ASML 揭示了其進一步推動半導體規模化的路線圖。

在最近的一次演講中，ASML 前總裁 Martin van den Brink 宣佈了公司的新"Hyper-NA"EUV 技術計畫，該技術將接替剛剛開始部署的 High-NA EUV 系統。

Hyper-NA工具仍處於早期研究階段，它將把數值孔徑從High-NA的0.55提高到0.75，使晶片的電晶體密度在2030年代初超過High-NA的預計極限。更高的數值孔徑可減少對增加複雜性和成本的多重圖案技術的依賴。

Hyper-NA 為商業化帶來了自身的挑戰。主要障礙包括降低成像對比度的光偏振效應，這就需要偏振濾光片來降低光吞吐量。為了保持解析度，抗蝕材料可能還需要變得更薄。

雖然台積電等領先的超紫外晶片製造商可以利用現有的 0.33 NA 超紫外工具，通過多圖案化技術將擴展範圍再擴大幾個節點，但英特爾已採用 0.55 高-NA 來避免這些複雜性。但是，隨著High-NA達到物理極限，Hyper-NA很可能在本十年晚些時候成為整個行業的必備技術。

除了 Hyper-NA 之外，除了昂貴的多光束電子光刻技術之外，目前幾乎沒有其他可供選擇的圖案化解決方案，而多光束電子曝光技術的吞吐量又比不上 EUV 曝光技術。為了繼續經典的擴展，業界可能需要最終過渡到與矽相比具有更優越電子遷移率特性的新型溝道材料，這就需要新的沉積和蝕刻能力。