HBM 高頻寬記憶體明年預計出貨翻倍，月產能突破 54 萬顆

在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下，2025 年高頻寬記憶體（HBM）晶片預計每月總產能將為 54 萬顆，相比較 2024 年增加 27.6 萬顆，同比增長 105%。

高頻寬記憶體是一種基於 3D 堆疊工藝的高性能 DRAM，適用於高儲存器頻寬需求的應用場合，與高性能圖形處理器、網路交換及轉發裝置（如路由器、交換器）、高性能資料中心的 AI 特殊應用積體電路結合使用，可以大幅減少半導體的功率和面積。

HBM 是 AI 加速卡成本佔比最高的零件，有媒體拆解NVIDIA H100 晶片，物料成本約為 3000 美元，其中 SK 海力士供應的 HBM 成本就高達 2000 美元，佔比 66%。

三大巨頭現狀

SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應商，兩家公司都採用 1beta 奈米工藝，並已向NVIDIA出貨。

集邦諮詢認為採用 1Alpha nm 工藝的三星預計將在第二季度完成認證，並於今年年中開始供貨。

三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠（P1L、P2L 和 P3L），以便用於 DDR5 和 HBM。

同時，華城工廠（13/15/17 號生產線）正在升級到 1α 工藝，僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產能，以滿足航空航天等特殊行業的需求。

SK 海力士以南韓利川市 M16 產線生產 HBM，並著手將 M14 產線升級為 1α／1β 製程，以供應 DDR5 和 HBM 產品。

此外，無錫廠目前正積極將製程由 1y／1z 升級到 1z／1α，分別用於生產 DDR4 及 DDR5 產品。

美光 HBM 前段在日本廣島廠生產，產能預計今年第四季提升至 2.5 萬顆；長期將引入 EUV 製程（1γ、1δ），並建置全新無塵室。