![HBM 高頻寬記憶體明年預計出貨翻倍,月產能突破 54 萬顆](https://cdn0.techbang.com/system/excerpt_images/116766/post_inpage/e81d72113c87d31c245c690777a18888.jpg?1720607109)
在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下,2025 年高頻寬記憶體(HBM)晶片預計每月總產能將為 54 萬顆,相比較 2024 年增加 27.6 萬顆,同比增長 105%。
高頻寬記憶體是一種基於 3D 堆疊工藝的高性能 DRAM,適用於高儲存器頻寬需求的應用場合,與高性能圖形處理器、網路交換及轉發裝置(如路由器、交換器)、高性能資料中心的 AI 特殊應用積體電路結合使用,可以大幅減少半導體的功率和面積。
HBM 是 AI 加速卡成本佔比最高的零件,有媒體拆解NVIDIA H100 晶片,物料成本約為 3000 美元,其中 SK 海力士供應的 HBM 成本就高達 2000 美元,佔比 66%。
三大巨頭現狀
SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應商,兩家公司都採用 1beta 奈米工藝,並已向NVIDIA出貨。
集邦諮詢認為採用 1Alpha nm 工藝的三星預計將在第二季度完成認證,並於今年年中開始供貨。
三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠(P1L、P2L 和 P3L),以便用於 DDR5 和 HBM。
同時,華城工廠(13/15/17 號生產線)正在升級到 1α 工藝,僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產能,以滿足航空航天等特殊行業的需求。
SK 海力士以南韓利川市 M16 產線生產 HBM,並著手將 M14 產線升級為 1α/1β 製程,以供應 DDR5 和 HBM 產品。
此外,無錫廠目前正積極將製程由 1y/1z 升級到 1z/1α,分別用於生產 DDR4 及 DDR5 產品。
美光 HBM 前段在日本廣島廠生產,產能預計今年第四季提升至 2.5 萬顆;長期將引入 EUV 製程(1γ、1δ),並建置全新無塵室。
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