SK hynix開發出業界首款1c DDR5 幫助資料中心最多降低30%電力成本

全球第二大儲存晶片製造商SK海力士表示，已開發出業界首款第六代10奈米級動態隨機存取儲存器（DRAM）晶片，該晶片的功耗比舊型號更低、能效則更高。SK海力士在一份聲明中表示，這款DRAM晶片名為1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10奈米技術。

據介紹，此次1c 16Gb DDR5晶片將主要用於高性能資料中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆位元），與前一代相比速度提高了11%；此外該晶片還比前一代的能效提高了9%以上。

該公司還表示，在當前人工智慧蓬勃發展的時期，這可以幫助資料中心減少多達30%的電力成本。

此次的1c工藝是以1β工藝為基礎，1β工藝就是上一代DRAM晶片採用的第五代10奈米技術，其以最佳性能的DRAM而廣受讚譽的。為了減少在推進過程中產生的潛在錯誤，並以最有效的方式轉移1β的優勢，該公司擴展了1β的DRAM平台以開發1c。

公司聲明中寫道，“公司以第五代（1β）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體儲存器市場發展。”

DRAM開發部門負責人Kim Jonghwan表示，“1c工藝技術兼備著最高性能和成本競爭力，公司將其應用於新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進DRAM主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。”