俄羅斯宣佈要從零開始自研EUV曝光機，號稱比ASML更便宜、更容易製造

俄羅斯已公佈自主開發EUV曝光機的路線圖，目標是比ASML的曝光機更便宜、更容易製造。據悉，俄羅斯的自主曝光機採用11.2nm的雷射光源，而非ASML標準的13.5nm。這種波長將與現有的EUV裝置不相容，需要俄羅斯開發自己的曝光生態系統，這可能需要十年或更長時間。

包括電子設計自動化（EDA）工具也需要進行更新。雖然現有EDA工具仍可完成邏輯合成、佈局和路由等基本步驟，但涉及曝光的關鍵製程，如光罩資料準備、光學鄰近校正（OPC）和解析度增強技術（RET），則需要重新校準或升級為適合11.2nm的新製程模型。

該項目計畫由俄羅斯科學院微結構物理研究所的Nikolay Chkhalo領導，目的是製造性能具競爭力且具成本優勢的EUV曝光機，以對抗ASML的裝置。

Chkhalo 表示，11.2nm波長的解析度提高了20%，可以提供更精細的細節，同時簡化設計並降低光學元件的成本。

這種調整顯著減少了光學元件的污染，延長了收集器和保護膜等關鍵部件的使用壽命。

俄羅斯的曝光機還可使用矽基光阻劑，預期在較短波長下將具備更出色的性能表現。儘管該曝光機產量僅為ASML裝置的37%，因為其光源功率僅3.6千瓦，但性能足以應付小規模晶片生產需求。

據報導，俄羅斯曝光機的開發工作將分為三個階段，第一階段將聚焦於基礎研究、關鍵技術識別與初步元件測試。

第二階段將製造每小時可處理60片200公釐晶圓的原型機，並整合至俄羅斯國內晶片生產線。

第三階段的目標是打造一套可供工廠使用的系統，每小時可處理60片300公釐晶圓。

目前還不清楚其曝光機將支援哪些製程技術，路線圖也未提到各階段完成的時間表。