超越台積電，IBM宣佈已經製造出全球首顆2奈米EUV晶片

IBM宣佈造出了全球第一顆2nm製程的半導體晶片。核心指標方面，IBM稱該2nm的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是台積電5nm的兩倍，也比外界預估台積電3nm製程的292.21 MTr/mm2要高。

換言之，在150平方公毫，也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆晶體管。

同時，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。

實際上，IBM也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）晶片的廠商，在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。回到此次的2nm上，採用的是GAA（環繞柵極晶體管）技術，三層。IBM介紹，這是第一次使用底介電隔離通道，它可以實現12 nm的柵長，其內部間隔是第二代干法設計，有助於納米片的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。

IBM並沒有自己的晶圓廠，2014年其製造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了10年合作協議，另外，IBM也和三星、Intel保持合作。

關於GAA晶體管技術，三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。至於台積電，今年才宣布 2 奈米製程將要等到 2023 年才會進行風險試產。