首頁 xr 裝置 xr 裝置 的最新熱門文章 新聞 三星電子正為蘋果下一代XR裝置打造LLWD DRAM產品，以取代SK 海力士 cnBeta 發表於 2024年7月24日 09:30 Plurk LLW DRAM 作為一種革命性的高性能記憶體解決方案，以其豐富的 I/O 引腳設計，實現了前所未有的高頻寬、超低延遲及節能效果 上一頁1下一頁
新聞 三星電子正為蘋果下一代XR裝置打造LLWD DRAM產品，以取代SK 海力士 cnBeta 發表於 2024年7月24日 09:30 Plurk LLW DRAM 作為一種革命性的高性能記憶體解決方案，以其豐富的 I/O 引腳設計，實現了前所未有的高頻寬、超低延遲及節能效果
