在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣佈已成功接收全球第二台價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外曝光機)。High NA EUV曝光機是目前世界上最先進的晶片製造裝置之一,其解析度達到8奈米,能夠顯著提升晶片的電晶體密度和性能,是實現2nm以下先進製程大規模量產的必備武器。
基辛格表示,第二台High NA裝置即將進入Intel位於美國俄勒岡州的晶圓廠,預計將支援公司新一代更強大的電腦晶片的生產。
Intel已於去年12月接收了全球首台High NA EUV曝光機,並在俄勒岡州晶圓廠完成了組裝。此次第二台裝置的引入,將進一步提升Intel在高階晶片製造領域的競爭力,有望幫助公司在2025年實現對台積電等競爭對手的超越。
High NA EUV曝光機的引入,是Intel IDM 2.0戰略的一部分,該戰略旨在通過技術創新和工藝提升,重塑Intel在全球半導體產業的領導地位。
Intel計畫在2027年前將High NA EUV技術用於商業生產,並在2030年前實現代工業務的收支平衡。
ASML 擁有來自台積電、三星、英特爾以及SK 海力士和美光(Micron)等主要半導體製造商的超過十台 High NA 設備訂單。英特爾計劃在2027年開始商業化使用這項技術。台積電也將在今年收到一台此類設備,但尚未透露具體的生產使用時間。
事實上,今年預計Intel會從ASML接收的EUV曝光機還不只一台。因為先前報導過,ASML 截至明年上半年最先進 EUV 裝置的訂單已經由英特爾承包,而今年計畫生產的五套裝置也將全部運給這家美國晶片製造商。
按照消息人士的說法,由於上述 EUV 裝置產能每年約為 5 到 6 台,這意味著英特爾將獲得所有初始庫存。
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