半導體技術競賽進入白熱化階段，全球晶圓代工龍頭台積電與 IDM 巨擘 Intel 在先進製程的角力備受矚目。近期，半導體研究機構 TechInsights、SemiWiki 釋出最新分析報告，針對台積電 N2 2 奈米級別，以及 Intel 18A 1.8 奈米級別兩大尖端製程進行深入剖析與正面對比，揭示了兩者在技術上的諸多細節與優勢差異，引發業界高度關注。
18A 製程進展順利，N2 量產箭在弦上，兩大尖端製程下半年正面交鋒
Intel 方面，18A 製程被視為重返晶圓代工領導地位的關鍵一步。根據 Intel 官方說法，18A 製程進展順利，預計將在今年下半年投入量產。首款採用 18A 製程的產品，代號 Panther Lake，將鎖定講求輕薄效能的筆記型電腦行動裝置市場。
另一方面，台積電 N2 製程的量產進度亦不遑多讓，同樣預計在今年下半年進入大規模量產階段。首發客戶預料仍將由科技巨擘蘋果 (Apple) 拿下，而 AMD 旗下的 Zen 6 架構處理器，亦傳聞將採用台積電 N2 製程打造。
晶體管密度大比拚：N2 製程展現更高集成度
在晶片製造領域，晶體管密度是衡量製程技術先進程度的重要指標之一。根據研究報告顯示，台積電 N2 製程在高密度標準單元 (HD standard-cell) 電晶體密度方面，達到每平方毫米 3.13 億個的驚人水準，明顯超越 Intel 18A 製程的每平方毫米 2.38 億個，以及三星 SF2 (原名 SF3P) 製程的每平方毫米 2.31 億個。
值得注意的是，上述數據僅為標準單元電晶體的統計結果。在實際晶片設計與應用中，不同製程節點往往會採用獨特的設計規則與彈性架構，例如台積電的 FinFlex、NanoFlex 等創新技術，允許客戶根據產品需求，在電晶體單元的密度、效能、功耗之間進行最佳化權衡。因此，不同產品最終採用的電晶體單元類型，可能涵蓋高密度 (HD)、高效能 (HP)、低功耗 (LP) 等多種選項。
效能潛力對決：18A 製程有望後來居上？
效能表現方面，TechInsights 報告推測，Intel 18A 製程在效能上可能較台積電 N2、三星 SF2 製程更具優勢。然而，如同晶體管密度比較，實際產品的效能表現，仍高度取決於晶片設計、架構優化等諸多因素。
TechInsights 的效能推估方法，係以台積電 N16FF 16 奈米、三星 14 奈米製程作為效能基準，再依據各家廠商宣稱的製程效能提升幅度，進行推算。此種推估方式，或可能存在一定程度的誤差，實際情況仍有待驗證。
值得關注的是，Intel 18A 製程導入了 PowerVia 背面供電技術，這項創新技術被視為提升晶片效能的關鍵。PowerVia 技術將電源線路移至晶片背面，正面空間則完全用於佈建訊號線路，大幅降低訊號傳輸阻抗，進而提升晶片的效能與能源效率。相較之下，台積電 N2 製程並未採用類似的背面供電技術。
功耗表現各有千秋，能效優勢鹿死誰手？
功耗表現方面，TechInsights 初步分析認為，台積電 N2 製程在省電性上，可能優於三星 SF2 製程。能效表現向來是台積電的傳統強項，N2 製程預期將延續此一優勢。
至於 Intel 18A 製程的功耗表現，目前仍有待進一步觀察。然而，憑藉 PowerVia 背面供電技術的加持，以及 Intel 在製程技術上的持續精進，外界普遍相信，18A 製程的功耗表現應不致於太差。
台積電 N2 與 Intel 18A 兩大尖端製程的首度正面交鋒，預示著半導體產業新一輪技術競賽的正式展開。台積電 N2 製程在晶體管密度上展現優勢，象徵著在晶片集成度方面更具潛力；Intel 18A 製程則憑藉 PowerVia 背面供電技術，劍指效能巔峰。
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